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IT之家 11 月 7 日消息，近日，国星光电研究院推出以 TO-247-4L 为封装形式的 NSiC-KS 系列产品，可应用于移动储能、光伏逆变、新能源汽车充电桩等场景。

IT之家获悉，随着工业 4.0 时代及新能源汽车的快速普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能的要求也不断提高，新型高频器件 SiC MOSFET 因其耐压高、导通电阻低、开通损耗小等优异特点，正在抢占新能源市场。

国星光电的封装技术通过科学系统的设计，采用带辅助源极管脚的 TO-247-4L 作为 NSiC-KS 系列产品的封装形式，并将之应用于 SiC MOSFET 上，取得分立器件在开关损耗、驱动设计等方面的新突破。

以国星光电第三代半导体 NSiC 系列 1200V 80mΩ 的 SiC MOSFET 产品为例，采用 NSiC-KS 封装的 SiC MOSFET，避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦，使得 NSiC-KS 封装的 SiC MOSFET 开关损耗、开通损耗均明显降低，开关频率更快，寄生电感与误开启风险更低。

为满足市场需求，国星光电 NSiC-KS SiC MOSFET 产品有多款型号选择。同时，基于公司具备完整的 SiC 分立器件生产线，国星光电可根据客户需要，提供高性能、高可靠性、高品质的产品技术解决方案。